1条6英寸生产线。当然，这无法同日本NEC，韩国三星相提并论，所以力微电子未来仍需要继续扩建，并将现有生产线逐步改造成8英寸生产线。

　　在参观生产线之后，力微电子与金士顿也签署了一份关于

　　DRAM供销的备忘录。

　　既然到了台湾，蔡致良与顾远德，廖成凯也礼节性地拜访了工研院。

　　曾经力微电子改名之前，同工研院还是有一段蜜月期的，共同研究1M技术，奈何人多心不齐，难以协调一致，直到后来蔡致良终于意识到，从力微电子试图主导台湾DRAM技术开发的那一刻起，就注定了这样的结局。

　　直到去年年初，力微电子与工研院分道扬镳，分歧在于理念难以调和。工研院在美国顾问的建议下，启动“次微米制程技术发展五年计划”，按部就班地开发4M，16M技术，而力微电子在获得日本4M技术授权之后，直接向16M技术发起挑战。毕竟因为摩尔定律的存在，你只有更快，才能够在这个行业生存。

　　而4M的技术，因为日本经济的崩溃，只要花钱，毕竟早在1989年，日本就已经授权给韩国现代，再加上力微电子，台湾企业获取授权不难。

　　但是从工研院的角度看，一方面台湾的DRAM生产厂，除了力微电子，规模都比较小，近两三年一直处于亏损状态，而且每年数百万美元的授权费用不是一笔小数目，而另一方面，直接研究16M技术，无疑会面临重大的风险，毕竟当时只有日本具备量产

　　DRAM的能力，就连韩国三星也尚未推出16M的样品，只能望而却步。

　　说到底，相较于其他DRAM工厂，力微电子的抗风险能力要强的多，亏的起，也能够付得起每年的技术授权费。也因为蔡致良的金手指，对未来的形势了如指掌，在获得日本4MJ技术授权之后，通过收购日本半导体研究公司和挖人，也获取了部分16M技术专利，坚定了力微电子开发16M技术的信念。

　　这次发展理念的分歧，也是力微电子转向新加坡的导火索，因为这就是一个无底洞，蔡致良也缺钱了。

　　不过，力微电子也参与了台湾的“次微米制程技术发展五年计划”，仅限于0.5微米的制造技术。

　　近一年半的时间，在卢超群博士的协调下，勉强拧在一起技术团队尚未能攻克4M技术。虽说时间较短，但距离日本NEC开始量产4M存储芯片，已经过去5年，而距离日本NTT展示出全球第一块

　　DRAM样品也已经过去4年了。

　　时不我待，等台湾研发出4M技术的时候，也已经落后许多了。而即便是蔡致良也不敢掉以轻心，在

　　DRAM成功之后，立即马不停蹄地启动64M技术的研发，寄希望于尽快抹平

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