1条6英寸生产线。当然,这无法同日本NEC,韩国三星相提并论,所以力微电子未来仍需要继续扩建,并将现有生产线逐步改造成8英寸生产线。
在参观生产线之后,力微电子与金士顿也签署了一份关于
DRAM供销的备忘录。
既然到了台湾,蔡致良与顾远德,廖成凯也礼节性地拜访了工研院。
曾经力微电子改名之前,同工研院还是有一段蜜月期的,共同研究1M技术,奈何人多心不齐,难以协调一致,直到后来蔡致良终于意识到,从力微电子试图主导台湾DRAM技术开发的那一刻起,就注定了这样的结局。
直到去年年初,力微电子与工研院分道扬镳,分歧在于理念难以调和。工研院在美国顾问的建议下,启动“次微米制程技术发展五年计划”,按部就班地开发4M,16M技术,而力微电子在获得日本4M技术授权之后,直接向16M技术发起挑战。毕竟因为摩尔定律的存在,你只有更快,才能够在这个行业生存。
而4M的技术,因为日本经济的崩溃,只要花钱,毕竟早在1989年,日本就已经授权给韩国现代,再加上力微电子,台湾企业获取授权不难。
但是从工研院的角度看,一方面台湾的DRAM生产厂,除了力微电子,规模都比较小,近两三年一直处于亏损状态,而且每年数百万美元的授权费用不是一笔小数目,而另一方面,直接研究16M技术,无疑会面临重大的风险,毕竟当时只有日本具备量产
DRAM的能力,就连韩国三星也尚未推出16M的样品,只能望而却步。
说到底,相较于其他DRAM工厂,力微电子的抗风险能力要强的多,亏的起,也能够付得起每年的技术授权费。也因为蔡致良的金手指,对未来的形势了如指掌,在获得日本4MJ技术授权之后,通过收购日本半导体研究公司和挖人,也获取了部分16M技术专利,坚定了力微电子开发16M技术的信念。
这次发展理念的分歧,也是力微电子转向新加坡的导火索,因为这就是一个无底洞,蔡致良也缺钱了。
不过,力微电子也参与了台湾的“次微米制程技术发展五年计划”,仅限于0.5微米的制造技术。
近一年半的时间,在卢超群博士的协调下,勉强拧在一起技术团队尚未能攻克4M技术。虽说时间较短,但距离日本NEC开始量产4M存储芯片,已经过去5年,而距离日本NTT展示出全球第一块
DRAM样品也已经过去4年了。
时不我待,等台湾研发出4M技术的时候,也已经落后许多了。而即便是蔡致良也不敢掉以轻心,在
DRAM成功之后,立即马不停蹄地启动64M技术的研发,寄希望于尽快抹平
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